在中国工信部近期公布的最新文件中，出现了一台全新的中国自制 DUV 曝光机，公开数据显示该曝光机的分辨率 ≦ 65 纳米、套刻精度 ≦8 纳米。许多中国网友认为，这台 DUV 象征著中国突破了美国的技术封锁，“可以生产 8 纳米芯片”。
然而，这番言论却接连遭到中外媒体打脸，指出该 DUV 仅能制造 65 纳米等级的芯片，甚至有中国科技媒体直言，中国的技术可能落后西方超过 15 年。
中国工信部于 9 月初公布“首台(套)重大技术装备推广应用指导目录( 2024 年版)”，其中在“积体电路生产设备”的项目中，列出了新型的氟化氪曝光机与氟化氩曝光机。中国媒体《芯智讯》报道指出，该文件中列出的氟化氪曝光机是 248 纳米光源的曝光机，分辨率仅 ≦110 纳米，套刻精度也 ≦25 纳米，而氟化氩曝光机则是 193 纳米光源的 DUV 曝光机。但与世界先进的浸没式 DUV 曝光机不同，中国的这台是较落后的“干式曝光机”。
该报道指出，这台新的 DUV 曝光机解析度 ≦ 65 纳米、套刻精度 ≦8 纳米，虽然比之前中国上微公司公布，解析度 ≦90 纳米的 SSA600 还要进步，但仍无法达到生产 28 纳米芯片的水准，更不用说比 28 纳米更先进的 8 奈米、 7 纳米芯片。该报道强调，有很多网友对曝光机的技术存在误会，曝光机的套刻精度与光刻制造制程节点水准是两项完全不一样的东西。
该报道也针对曝光机的分辨率与套刻精度做出分析并指出，如果一台曝光机的分辨率微 65 纳米，代表该曝光机单次曝光能达到的制程节点在 65 纳米“左右”，套刻精度则是正确对准芯片线路与电晶体的能力，并不代表能生产该大小的芯片。
一位在中国从事科技自媒体的网友表示，只有完全不懂芯片产业的人，才可能将“套刻精度 ≦ 8 纳米”视为可以生产 8 纳米芯片。该名网友称，目前中国还不到足以制造 8 纳米芯片的水平，工信部公布的最新 DUV 曝光机也落后行业龙头荷兰艾斯摩尔“整整十八年”，呼吁网友不要“盲目乐观”，“中国还有很多技术层面的难题需要克服”。
另外，科技媒体《 WccfTech 》也发布报道指出，美国早在 2009 年就可以透过氟化氩曝光机生产芯片，中国新公布的 DUV 曝光机“至少落后美国 15 年”。