看到本坛粉红贴出中共伪政权搞成EUV（极紫外）光刻系统的传言，我搜索了一下新闻。
这里有两篇。
光刻系统：中国据称制造 EUV 机器 |Heise 在线
光刻系统：据称中国制造 EUV 机器
光刻系统：据称中国制造 EUV 机器
中国最早将于 2026 年大规模生产复杂的 EUV 系统。然而，这似乎并不是特别现实。
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基于 Tiktok 和 X，一张带有粗体字样EUV的中国机器的图片正在流传。许多人由此得出结论，中国可能很快就会使用高度复杂的极紫外 （EUV） 光刻技术生产芯片。
这对该国来说将是一个巨大的成功，因为到目前为止，只有荷兰的 ASML 大规模生产了 EUV 光刻系统。但是，由于出口限制，ASML 不允许将这些出售给中芯国际等中国芯片制造商。当前的 EUV 光刻系统暴露了波长为 13.5 纳米的芯片结构。它们是最现代生产流程所必需的。
Zephyr@zephyr_z9
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中国最大的芯片合同制造商中芯国际目前主要为华为生产 7 纳米结构的芯片。如果没有 EUV 光刻系统，制造商必须依赖具有深紫外波长（DUV，193 nm 波长）的多重图形化。结构越精细，需要的曝光通道就越多，这会增加错误率。即使是 7 纳米工艺也只有在补贴下才在经济上可行。
EUV 一词没有明确的定义。其他波长也属于此光谱范围，例如发射 46.9 nm 辐射的氩等离子体激光源。FZ Jlich 正在研究如何将这种辐射用于EUV 干涉光刻。
据报道，中国计划在 2025 年夏季开始 EUV 机器的试生产，并于 2026 年开始批量生产。然而，目前还没有可靠的消息来源表明，中芯国际或其他公司在不久的将来将能够使用EUV技术制造芯片。
他们指出，国内公司可以使用 DUV 光刻技术制造 65 nm 工艺的系统，具有 8 nm 的叠加。Overlay 通常是指晶圆的对准精度。
(综合)
中国投资 370 亿欧元开发国产 EUV 光刻系统 - Power Electronics News
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中国最大的芯片合同制造商中芯国际目前主要为华为生产 7 纳米结构的芯片。如果没有 EUV 光刻系统，制造商必须依赖具有深紫外波长（DUV，193 nm 波长）的多重图形化。结构越精细，需要的曝光通道就越多，这会增加错误率。即使是 7 纳米工艺也只有在补贴下才在经济上可行。
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同时，这台来自中国的机器还标有额外的字符，谷歌将其翻译为EUV 光刻镜头对准 [和] 干涉仪。据此，它是一种用于对准并可能测试现代硅晶片的设备。但是，它与用于曝光芯片的光刻系统无关，而是生产的配套机器。这也解释了为什么该盒子看起来只有 ASML EUV 光刻系统的一半左右。EUV 一词没有明确的定义。其他波长也属于此光谱范围，例如发射 46.9 nm 辐射的氩等离子体激光源。FZ Jlich 正在研究如何将这种辐射用于EUV 干涉光刻。
ASML 的 EUV 照排机 Twinscan NXE：3400 从内部看。激光发射等离子体液滴以产生波长为 13.5 纳米的光。
（图片：ASML）谨防有关中国芯片生产的报道
与此同时，自 2024 年以来，有关中国半导体行业的错误信息一直在积累。例如，去年秋天，有猜测称中国已经为高达 8 纳米的生产工艺开发了自己的 DUV 系统。这方面的来源是中国政府文件，这些文件可能被翻译错误。他们指出，国内公司可以使用 DUV 光刻技术制造 65 nm 工艺的系统，具有 8 nm 的叠加。Overlay 通常是指晶圆的对准精度。
(综合)
中国投资 370 亿欧元开发国产 EUV 光刻系统 - Power Electronics News
中国投资 370 亿欧元开发国产 EUV 光刻系统
EUV（极紫外）光刻系统在半导体制造中发挥着至关重要的作用，有助于制造更小、更强大、更节能的芯片。
EUV（极紫外）光刻系统对于制造创新半导体至关重要，能够生产更小、更强大和更节能的芯片。EUV 使用 13.5 nm 波长的光在半导体晶片上形成极精细的特征图案化，对于提供 5 nm、3 nm 及更高波长的节点至关重要。
ASML是一家荷兰公司，是唯一一家 EUV 系统制造商，这使得它们对世界半导体生产至关重要。这些机器的使用受到严格限制，出口限制会影响政治和经济影响力。
在美国的压力下，ASML 自 2019 年以来一直被禁止向中国出售其先进设备。最近，荷兰进一步收紧了这些限制，有效地阻止了中国获得基本零部件。
本文将探讨中国投资370 亿欧元开发国产 EUV 光刻系统的大胆半导体计划，以及它对 ASML 市场领导地位可能构成的威胁。
该过程从产生 EUV 光开始，这是通过使用高功率激光瞄准微小的锡滴来实现的。强烈的能量将锡转化为等离子体，等离子体发射所需的 13.5 nm 波长光。由于 EUV 光很容易被空气和传统材料吸收，因此整个过程发生在真空中，需要专门的光学元件来引导光线。
这些光学元件依赖于涂有钼和硅交替层的反射镜，旨在通过相长干涉反射 EUV 光。镜子必须抛光至近乎完美的光滑度，因为小至纳米的缺陷可能会破坏芯片制造所需的精度。
同样重要的是光刻胶，即应用于硅晶片的光敏材料。这些光刻胶必须经过微调以对 EUV 的短波长做出反应，平衡灵敏度和分辨率以最大限度地减少缺陷。光刻胶化学的创新对于提高 EUV 的实用性至关重要。
图 1 显示了 ASML 的 TWINSCAN NXE 设备内部从 EUV 光源（右下）到半导体晶片（中下）的完整光路。
图 1：ASML EUV 光刻系统内部的全光路（版权所有 （ASML） 保留所有权利）
相比之下，EUV 在更短的 13.5 nm 波长下工作，从而可以在单次曝光中对 7 nm 以下的特征进行图案化，包括 5 nm 和 3 nm 节点。这消除了对复杂多重图形的需求。
在应用方面，DUV 在大约 180 nm 到 7 nm 的节点中占据主导地位，并广泛用于生产 DRAM 和 NAND 等存储芯片，以及不太先进的逻辑芯片。然而，EUV 对于几纳米的高级逻辑节点至关重要，尤其是在高性能 CPU 和 GPU 中。虽然 EUV 用于关键层，例如金属层，但某些层仍然依赖 DUV 来提高成本效益。
学术界也加入了这场竞赛。哈尔滨工业大学最近提出了一种不同于西方方法的产生 EUV 光的替代方法。该研究所的项目由赵永鹏教授领导，专注于中心波长为 13.5 纳米的放电诱导等离子体 EUV 源。
ASML 的 EUV 光源采用激光产生等离子体 （LPP） 技术，其中高能激光撞击液态锡滴以产生等离子体。这个过程依赖于先进的激光组件和基于 FPGA 的复杂控制，关键技术历来由外国公司主导。
相比之下，Zhao 的团队采用了激光诱导放电等离子体 （LDP） 方法。在这种方法中，激光蒸发少量锡，在两个电极之间形成云。然后在电极上施加高压，使锡云通电并将其转化为等离子体。由此产生的电子和高价锡离子之间的相互作用会产生 EUV 光。
根据该研究所的网站，这种方法拥有高能量转换效率、低成本、紧凑的尺寸和相对较低的技术复杂性。然而，优化放电脉冲时序和输出功率仍然是一个重大挑战。
中国的其他研究小组也在从不同角度探索 EUV 技术。上海光学精密机械研究所与清华大学共同领导了SSMB-EUV 项目，这是一项旨在开发用于光刻的替代 EUV 光源的大规模国家计划。
此外，研究工作继续专注于提高能源效率，最近的突破有望在这一领域取得重大进展。冲绳科学技术大学 （OIST）的 Tsumoru Shintake 教授提出了一种可以将能耗降低 90% 的 EUV 技术。ASML 也引入了重大升级，以提高其系统的效率和生产力。
OIST 的 EUV 光刻设计可在更小的 EUV 光源下运行，从而显著降低成本，同时大大提高机器的可靠性和使用寿命。此外，它消耗的功率不到传统 EUV 光刻系统的十分之一，有助于实现更环保的半导体行业。
这一突破是通过克服曾经被认为无法克服的两个挑战实现的（图 2）。首先是开发一种仅使用两个镜子的创新光学投影系统。第二种是一种新颖的方法，可以有效地将 EUV 光引导到平面镜（光掩模）上的逻辑图案上，而不会阻碍光路。
图 2：OIST 提出的光刻技术方案（来源：冲绳科学技术大学)
ASML是一家荷兰公司，是唯一一家 EUV 系统制造商，这使得它们对世界半导体生产至关重要。这些机器的使用受到严格限制，出口限制会影响政治和经济影响力。
本文将探讨中国投资370 亿欧元开发国产 EUV 光刻系统的大胆半导体计划，以及它对 ASML 市场领导地位可能构成的威胁。
ASML 对 EUV 技术的垄断
由 ASML 开创的 EUV 光刻技术是唯一能够达到下一代半导体制造所需精度的技术。这种能力对于维持半导体行业遵循摩尔定律的能力至关重要，摩尔定律是几十年来大约每两年将芯片上的晶体管数量翻倍的趋势。该过程从产生 EUV 光开始，这是通过使用高功率激光瞄准微小的锡滴来实现的。强烈的能量将锡转化为等离子体，等离子体发射所需的 13.5 nm 波长光。由于 EUV 光很容易被空气和传统材料吸收，因此整个过程发生在真空中，需要专门的光学元件来引导光线。
这些光学元件依赖于涂有钼和硅交替层的反射镜，旨在通过相长干涉反射 EUV 光。镜子必须抛光至近乎完美的光滑度，因为小至纳米的缺陷可能会破坏芯片制造所需的精度。
同样重要的是光刻胶，即应用于硅晶片的光敏材料。这些光刻胶必须经过微调以对 EUV 的短波长做出反应，平衡灵敏度和分辨率以最大限度地减少缺陷。光刻胶化学的创新对于提高 EUV 的实用性至关重要。
图 1 显示了 ASML 的 TWINSCAN NXE 设备内部从 EUV 光源（右下）到半导体晶片（中下）的完整光路。
EUV 与 DUV
如果没有 EUV，就不可能使用较旧的深紫外 （DUV） 光刻方法将晶体管缩放到电流密度。DUV 和 EUV 光刻技术在波长和分辨率上存在显著差异。DUV 在更长的波长下工作，通常使用 KrF 激光器为 248 nm，使用 ArF 激光器为 193 nm。先进的技术，如浸没式光刻技术（使用水来提高分辨率）和多重图案化（多次曝光可实现更精细的特征），使 DUV 能够处理低至约 7 nm 的节点。相比之下，EUV 在更短的 13.5 nm 波长下工作，从而可以在单次曝光中对 7 nm 以下的特征进行图案化，包括 5 nm 和 3 nm 节点。这消除了对复杂多重图形的需求。
在应用方面，DUV 在大约 180 nm 到 7 nm 的节点中占据主导地位，并广泛用于生产 DRAM 和 NAND 等存储芯片，以及不太先进的逻辑芯片。然而，EUV 对于几纳米的高级逻辑节点至关重要，尤其是在高性能 CPU 和 GPU 中。虽然 EUV 用于关键层，例如金属层，但某些层仍然依赖 DUV 来提高成本效益。
高 NA EUV
ASML 进一步扩展了 EUV 光刻技术的能力，开发了高数值孔径 （NA） 技术，也称为EXE。在高数值孔径光刻系统中，数值孔径（衡量光学系统收集和聚焦光的能力的指标）从 0.33 增加到 0.55。这将临界尺寸或系统可以打印的最小特征减少了 1.7 倍，并将芯片上的晶体管密度提高了 2.9 倍。中国 EUV 发展的主要参与者
以华为为首，许多中国公司正在努力实现这一雄心勃勃的目标，华为于 2022 年为一种新型 EUV 光源申请了专利。另一家主要参与者，中国领先的光刻设备制造商 SMEE（上海微电子设备）提交了 2023年专利，名为极紫外辐射发生器和光刻设备。学术界也加入了这场竞赛。哈尔滨工业大学最近提出了一种不同于西方方法的产生 EUV 光的替代方法。该研究所的项目由赵永鹏教授领导，专注于中心波长为 13.5 纳米的放电诱导等离子体 EUV 源。
ASML 的 EUV 光源采用激光产生等离子体 （LPP） 技术，其中高能激光撞击液态锡滴以产生等离子体。这个过程依赖于先进的激光组件和基于 FPGA 的复杂控制，关键技术历来由外国公司主导。
相比之下，Zhao 的团队采用了激光诱导放电等离子体 （LDP） 方法。在这种方法中，激光蒸发少量锡，在两个电极之间形成云。然后在电极上施加高压，使锡云通电并将其转化为等离子体。由此产生的电子和高价锡离子之间的相互作用会产生 EUV 光。
根据该研究所的网站，这种方法拥有高能量转换效率、低成本、紧凑的尺寸和相对较低的技术复杂性。然而，优化放电脉冲时序和输出功率仍然是一个重大挑战。
中国的其他研究小组也在从不同角度探索 EUV 技术。上海光学精密机械研究所与清华大学共同领导了SSMB-EUV 项目，这是一项旨在开发用于光刻的替代 EUV 光源的大规模国家计划。
中国打破 ASML 垄断的挑战
尽管中国投资了 370 亿欧元，但它不太可能在几年内生产出商业上可行的 13.5 纳米 EUV 光刻机。ASML 作为系统集成商运营，依赖于尖端知识产权和组件的生态系统，其中绝大多数来自拥有数十年专业知识的西方供应商。此外，除了核心光源系统外，生产完整的光刻机还需要高精度组件，如镜子。此外，研究工作继续专注于提高能源效率，最近的突破有望在这一领域取得重大进展。冲绳科学技术大学 （OIST）的 Tsumoru Shintake 教授提出了一种可以将能耗降低 90% 的 EUV 技术。ASML 也引入了重大升级，以提高其系统的效率和生产力。
OIST 的 EUV 光刻设计可在更小的 EUV 光源下运行，从而显著降低成本，同时大大提高机器的可靠性和使用寿命。此外，它消耗的功率不到传统 EUV 光刻系统的十分之一，有助于实现更环保的半导体行业。
这一突破是通过克服曾经被认为无法克服的两个挑战实现的（图 2）。首先是开发一种仅使用两个镜子的创新光学投影系统。第二种是一种新颖的方法，可以有效地将 EUV 光引导到平面镜（光掩模）上的逻辑图案上，而不会阻碍光路。
