「ZT」ついに立ち上がるEUV露光
13.5nmと非常に短い波長を用いる次世代露光技術のEUV（extreme ultraviolet）。22nm世代以降の最先端半導体の製造に向けて，研究開発が進められている技術です。このEUV露光技術は，極めて短い線幅の 半導体を実現できるため，「究極の露光技術」とされてきました。その一方で，既存の露光技術に比べて，量産化に向けた技術障壁が格段に上がるため，これま では「夢」の技術の域を出ませんでした。その技術障壁の高さは，従来の露光技術に比べて，光源波長がケタ違いに短くなることに表れています。1980年代 以降，露光装置の光源の種類は，波長436nmのg線，同365nmのi線，同248nmのKrFレーザ，同193nmのArFレーザと，波長を徐々に短 くしながら進化してきました。現在，最先端の半導体製造には液浸のArFレーザ装置が使われています。これがEUV露光に切り替わることは，波長がケタ違 いに短くなることを意味します。これに伴い，露光装置は巨大になり，内部構成も従来とは大きく変わります。そのため，量産適用は容易ではないと見られてき ました。
このEUV露光技術をめぐる状況がここにきて，明らかに変化し始めています。EUVの露光技術そのものが進展してきていること， およびそれを使う半導体メーカー側がEUVの採用を本気で検討し始めたことです。2010年10月17～20日に神戸で開催されたEUV関連の国際会議 「2010 International Symposium on Extreme Ultraviolet Lithography（EUVL）」では，EUV露光関連で大きな進展がありました。EUV露光装置のベンダーであるオランダASML社がつい に，EUV露光装置のベータ機を1台，顧客に出荷したことを発表したのです。
ここで言うEUV露光装置のベータ機とは，スループット以外の仕様が，実際の商用機と同じものです。これを購入するというのは，半導体メーカー側がいよ いよ本気になったことを意味しているといえるでしょう。2011年内には，さらに5台のベータ機が半導体メーカーに納入される計画となっています。最近， 出荷された1台を含めた計6台のEUV露光装置は，すべて異なるユーザーに向けられるようです。つまり，6社の顧客が使うことを意味するわけです。そし て，2012年には，量産対応機が出荷される計画であり，この量産対応機については，既に6社から計8台の受注が入っているそうです。
2010 EUVLのコンファレンス・チェアを務めた，半導体先端テクノロジーズ（Selete）取締役第三研究部長の森一朗氏は，最近の状況の変化をこう説明して くれました。「正直，2年前は装置のユーザー，すなわち半導体メーカー側がEUVを全く信じていなかった。状況が変わったのは，この半年。その理由は二つ ある。一つは，EUVの技術開発そのものが着実に進展していること。そして，より大きな理由と言えるのが，現在，液浸ArFレーザのダブル・パターニング 技術を手掛けている半導体メーカーの技術者の人たちが，その次のトリプル・パターニングやクアッド・パターニングではさすがにコスト的に見合わない，と確 信したこと。トリプル・パターニングやクアッド・パターニングの技術を導入しようとすると，エッチングなど露光周りの装置をそうしたパターニング技術に対 応させ直す必要がある。こうしたコストが半端ではない。そうであれば，EUV露光技術を導入するのが現実的と判断した」といいます。
EUV露光装置の価格は，そうは言っても，1台当たり8000万～1億米ドルになるようです。「1米ドル=80円」と仮定しても，1台当たり64億 円～80億円もする計算になります。露光業界の関係者の中には「これだけ高い装置を購入したり，発注をしていることが，半導体メーカーの本気度を何より象 徴している。このご時世，確信の持てない技術にこれだけの資金を投入できるメーカーはどこにもない」。私はこの言葉が現在のEUV技術の状況を如実に表し ていると思います。EUV技術がいよいよ立ち上がりそうです。
