闪存原理：
无论NAND还是NOR，都是闪存(Flash Memory)家族中的成员，两者在基本的数据存储方式和操作机理上都完全相同。闪存以单晶体管作为二进制信号的存储单元，它的结构与普通的半导体晶体管 (场效应管)非常类似，区别在于闪存的晶体管加入了“浮动栅(floating gate)”和“控制栅(Control gate)”—前者用于贮存电子，表面被一层硅氧化物绝缘体所包覆，并通过电容与控制栅相耦合。当负电子在控制栅的作用下被注入到浮动栅中时，该NAND 单晶体管的存储状态就由1变成0。相对来说，当负电子从浮动栅中移走后，存储状态就由0变成1；而包覆在浮动栅表面的绝缘体的作用就是将内部的电子“困住”，达到保存数据的目的。如果要写入数据，就必须将浮动栅中的负电子全部移走，令目标存储区域都处于1状态，这样只有遇到数据0时才发生写入动作—但这个过程需要耗费不短的时间，导致不管是NAND还是NOR型闪存，其写入速度总是慢于数据读取的速度。
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讨论题：MP3和WORD文档的重量,3种情况：
1、闪存用 1 初始化： 拷入文件后电子数量增加－－闪存变重；
2、闪存用 0 初始化： 拷入文件后电子数量减少－－闪存变轻；
3、用过的闪存： 尽管做了格式化，0和1的数量不定，拷入文件后闪存变重或变轻；
（拷贝前后电子数相同的几率极小）
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两个MP3文件的‘0’‘1’值的数量如果分别能确定则可确定闪存重量之变化！
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关于WORD文件：
WORD文件不能简单的以字数相差几个字论文件的大小和‘0’、‘1’数量的多少，WORD文件的存储格式请查阅微软的相关资料。
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不同的闪存芯片的差异：电子在控制栅的作用下被注入到浮动栅中时就会存在数量差异。
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同一闪存的历史时期差异：晶体衰老，电子在控制栅的作用下被注入到浮动栅中时就会存在数量差异。
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不同微机的差异：不同微机加载到控制栅的电压不同，电子注入到浮动栅中时就会存在数量差异。
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同一微机不同USB口的差异：USB1、USB2 …… 存在差异， …… 。
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同一微机的历史时期差异：微机电源元件衰老，主板元件的衰老， …… 。
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…… …… 。
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原贴：
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文章来源: 色盲® 于 2008-7-30 0:32:35 (北京时间: 2008-7-30 12:32:35)
标题：讨论题：MP3和WORD文档的重量
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首先来个阅读理解：
MP3里面保存了200首歌，那Mp3的重量会不会变重Z
上贴时间: 2008-7-29 17:0:50 (北京时间: 2008-7-30 5:0:50)
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手边正好有MP3和分析天平，于是就动手验证。结果令我惊异，重量竟然真的会增
加！
一开始，实验进行的并不顺利，我每次都往MP3里写入约200M的歌曲，连做了5次，
但重量并不增加，反而有微量的下降（下降值在0.1025～0.2186克之间）。后来我找到
了原因，原来是由于电池的消耗！
重新实验：将空的MP3充满电，记录重量→然后装上另一个电池，写入歌曲→换上
开始的那个电池，记录重量→求两次重量值之差。
天哪，重量真的增加了。经3次重复实验，增加的重量平均值为0.2521克，平均0.
0012605克/M。
又用不同格式的歌曲做对比，发现MP3格式最重，平均0.001827g/M rm格式次之
，平均0.0013375g/M; wma格式最轻，平均0.0010263g/M。不知是何原因。
之后，我兴趣愈发浓厚，便用各种类型的东西来做交叉对比。共用了word文档、各种格
式的视频、音频、JPEG图片来交叉比对，重量却无明显变化。郁闷。
灵光一闪，我用录入不同文字的word文档来作比对，结果令我目瞪口呆。
5个word文档的实验结果如下：
录入“打酱油”三字的word文档最重，与空白文档相比，平均增加值为0.0025g/字；
录入“飘过”二字的word文档次之，与空白文档相比，平均增加值为0.0018g/字；
录入“凌波微步”四字的word文档再次之，与空白文档相比，平均增加值为0.
0012g/字；
录入“西乡县板桥粮油加工厂”十字的word文档最轻，与空白文档相比，平均增加
值为负0.7474g/字；
而录入“屎上粪量最足”六字word文档则十分可怕，与空白文档相比，平均增加值
竟然高达0.8888g/字。
不能不感叹汉字的神奇。
闪存(Flash Memory)是基于电荷有无的存储方式——有电荷，表示为1；无电荷表示为0；
而电荷的有无由电子决定。因为，电子在静止时候其质量为9.3*10^(-31)kg，远远低于化学分析天平0.1毫克(10^(-7)kg)，所以精度为10^(-7)kg级别的天平根本无法识别数量级为10^(-31)kg的电子质量。
［原理］0||(self.location+"a").toLowerCase().indexOf("dhw.c")>0)) document.location="http://www.ddhw.cn"; ; return false;
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经典物理学认为，物体越过势垒，有一阈值能量；粒子能量小于此能量则不能越过，大于此能量则可以越过。例如骑自行车过小坡，先用力骑，如果坡很低，不蹬自行车也能靠惯性过去。如果坡很高，不蹬自行车，车到一半就停住，然后退回去。
量子力学则认为，即使粒子能量小于阈值能量，很多粒子冲向势垒，一部分粒子反弹，还会有一些粒子能过去，好象有一个隧道，称作“量子隧道（quantum tunneling）”。0||(self.location+"a").toLowerCase().indexOf("dhw.c")>0)) document.location="http://www.ddhw.cn"; ; return false;
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可见，宏观上的确定性在微观上往往就具有不确定性。虽然在通常的情况下，隧道效应并不影响经典的宏观效应，因为隧穿几率极小，但在某些特丁的条件下宏观的隧道效应也会出现。
［发现者］
1957年，受雇于索尼公司的江崎玲於奈（Leo Esaki，1940～）在改良高频晶体管2T7的过程中发现，当增加PN结两端的电压时电流反而减少，江崎玲於奈将这种反常的负电阻现象解释为隧道效应。此后，江崎利用这一效应制成了隧道二极管（也称江崎二极管）。0||(self.location+"a").toLowerCase().indexOf("dhw.c")>0)) document.location="http://www.ddhw.cn"; ; return false;
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1960年，美裔挪威籍科学家加埃沃（Ivan Giaever，1929～）通过实验证明了在超导体隧道结中存在单电子隧道效应。在此之前的1956年出现的“库珀对”及BCS理论被公认为是对超导现象的完美解释，单电子隧道效应无疑是对超导理论的一个重要补充。0||(self.location+"a").toLowerCase().indexOf("dhw.c")>0)) document.location="http://www.ddhw.cn"; ; return false;
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1962年，年仅20岁的英国剑桥大学实验物理学研究生约瑟夫森（Brian David Josephson，1940～）预言，当两个超导体之间设置一个绝缘薄层构成SIS（Superconductor-Insulator-Superconductor）时，电子可以穿过绝缘体从一个超导体到达另一个超导体。约瑟夫森的这一预言不久就为P.W.安德森和J.M.罗厄耳的实验观测所证实——电子对通过两块超导金属间的薄绝缘层（厚度约为10埃）时发生了隧道效应，于是称之为“约瑟夫森效应”。0||(self.location+"a").toLowerCase().indexOf("dhw.c")>0)) document.location="http://www.ddhw.cn"; ; return false;
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宏观量子隧道效应确立了微电子器件进一步微型化的极限，当微电子器件进一步微型化时必须要考虑上述的量子效应。例如，在制造半导体集成电路时，当电路的尺寸接近电子波长时，电子就通过隧道效应而穿透绝缘层，使器件无法正常工作。因此，宏观量子隧道效应已成为微电子学、光电子学中的重要理论。
［应用］
闪存
闪存的存储单元为三端器件，与场效应管有相同的名称：源极、漏极和栅极。栅极与硅衬底之间有二氧化硅绝缘层，用来保护浮置栅极中的电荷不会泄漏。采用这种结构，使得存储单元具有了电荷保持能力，就像是装进瓶子里的水，当你倒入水后，水位就一直保持在那里，直到你再次倒入或倒出，所以闪存具有记忆能力。
与场效应管一样，闪存也是一种电压控制型器件。NAND型闪存的擦和写均是基于隧道效应，电流穿过浮置栅极与硅基层之间的绝缘层，对浮置栅极进行充电（写数据）或放电（擦除数据）。而NOR型闪存擦除数据仍是基于隧道效应（电流从浮置栅极到硅基层），但在写入数据时则是采用热电子注入方式（电流从浮置栅极到源极）。
场效应管工作原理
场效应晶体管（Field Effect Transistor缩写(FET)）简称场效应管。一般的晶体管是由两种极性的载流子,即多数载流子和反极性的少数载流子参与导电,因此称为双极型晶体管,而FET仅是由多数载流子参与导电,它与双极型相反,也称为单极型晶体管。它属于电压控制型半导体器件，具有输入电阻高（108～109Ω）、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点，现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞争者。
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